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61.
Cheul-Ro Lee 《Journal of Electronic Materials》2002,31(4):327-331
We have investigated the growth characteristics of n-Al0.15Ga0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al0.15Ga0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure
of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al0.15Ga0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH4. However, many cracks are observed in the n-Al0.15Ga0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation
exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling
components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher. 相似文献
62.
从控制PVC异型材挤出机的工艺参数的角度,分析并论述了挤出机工艺参数对PVC异型材低温落锤性能的影响。 相似文献
63.
用快切装置替代备自投装置提高厂用电安全可靠性 总被引:3,自引:0,他引:3
指出目前厂用电切换装置存在的不足,分析了快切装置的基本原理以及厂用电事故下的成功快切对电厂安全生产的意义,说明了在厂用电切换中尽快应用快切装置的必要性。 相似文献
64.
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葡萄栽培品种花芽高节位分化观察研究 总被引:5,自引:3,他引:2
在管理良好、植株健壮的条件下,葡萄花芽高节位分化是一个普遍的现象。一年生枝从低节位到高节位均可形成正常的花芽,并能正常开花结果,而且高节位分化花芽对当年的果实品质及次年的花芽分化无不良的影响。合理利用这一特性对促进葡萄幼树早丰产有重要的指导意义。 相似文献
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